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首頁 ? 產品中心 ? LED襯底及窗口片設備 ? 泡生法藍寶石晶體生長爐
設備用途
LED襯底,窗口材料,手機屏,軍工領域,智能設備,大規模集成電路SOI 和SOS等等。
設備原理
泡生法:在真空環境中,通過電阻加熱將三氧化二鋁原料熔化,通過籽晶引導,采用精密上稱重技術進行微量提拉生長優質光學級藍寶石單晶。
產品特點:
1、PLC全自動操作系統
X2技術平臺,晶體生長過程(除引晶外)實現全自動化智能操作,生長條件可高度復制;能抗干擾自動調節功率,保證晶體穩定性,實現人機界面控制系統與工藝緊密結合。
2、精密提拉旋轉機構
專利設計,控制精度高,傳動平穩,抗干擾能力強,利于晶體生長。
3、高穩定性熱場
精確的溫度曲線控制,先進模擬軟件設計,保證原材料純度,熱變形小,使用壽命長。
4、高效水冷系統
先進的設計制造工藝,爐體冷卻效果好,震動小。
5、PAC全自動操作程序
觸摸屏操作,人機界面控制系統與工藝緊密結合,可遠程控制,信息存儲、分析、列表。
產品優勢:
1、縮短生長周期,比同類產品周期縮短2-3天。
2、優異的晶體質量,達到光學等級以上。
3、低能耗
設備及熱場穩定性高,重復型號,損耗小,且設備能耗低于同類產品20%以上。
4、高取材率
成熟的設備制造技術和長晶工藝,確保晶體取材率≥70%。
5、研發優勢
規?;难邪l基地,及時進行技術驗證及創新,確保產品及技術的成熟性和前沿性。
6、技術培訓
擁有研發基地,可驗證長晶,為客戶提供專業技術培訓、設備操作和工藝指導。
7、安全性高
配置真空安全保護裝置,安全性能更高。
高效的熱場模擬與設計
大幅降低能耗
80kg級長晶成本構成
120kg級長晶成本構成
技術指標:
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TDR85K-II |
TDR120K |
晶體生長周期 |
18-20天 |
20-25天 |
晶體質量 |
X射線雙晶搖擺半峰寬<10”;平均位錯密度為1×103個/cm2 |
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晶體最大直徑 |
300mm |
350mm |
設備能耗 |
<2萬度 |
<3萬度 |
設備損耗 |
主要部件使用壽命2年以上 |
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取材率(2吋) |
>3200mm |
>5800mm |
長晶成本 |
¥3.46萬元/爐 |
¥5.38萬元/爐 |
晶棒成本(2吋) |
$1.77/mm |
$1.52/mm |
高取材率
晶體規格 |
80kg級(φmax300×H350mm ) |
120kg級(φmax350×H400mm ) |
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4"晶棒 |
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